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MOSFET损耗计算公式

因PWM及PAM调制的输出波形均属于方波，为使波形好，输出为正弦波，故研制出正弦波脉宽调制方式(SPWM)采用高频脉宽调制产生的高次谐波容易滤去，SPWM调制是合理的调制方式，也是变频电源的常用调制方式。

MOSFET 损耗计算主要包含如下 8 个部分：PD = Pon + Poff + Poff_on + Pon_off + Pds + Pgs+Pd_f+Pd_recover

详细计算公式应根据具体电路及工作条件而定。例如在同步整流的应用场合，还要考虑体内二极管正向导通期间的损耗和转向截止时的反向恢复损耗。损耗计算可参考下文的“MOS管损耗的8个组成部分”部分。

400HZ电源浅析常用的方法

高频纹波抑制的目的是给高频纹波提供通路，400HZ电源浅析常用的方法有以下几种:1、提高直流稳压电源工作频率，以提高高频纹波频率，有利于抑制输出高频纹波；2、加大输出高频滤波器，可以抑制输出高频纹波。3、采用多级滤波。变频电源的防护结构要与其安装环境相适应，这就要考虑环境温度、湿度、粉尘、酸碱度、腐蚀性气体等因素，这与变频电源能否长期、安全且可靠运行关系重大。

高频开关功率变换技术，直流电源功率变换采用高频半导体功率变换实现。半导体功率器件采用德国新一代IGBT模块，利用IGBT高频开关工作方式下低损耗的优点，完成高频PWM变换和控制，实现大功率变流；并将IGBT及其驱动、保护和吸收电路配装成单相逆变单元模块，使电源具有体积小、、可靠性高的特点。

铁基纳米晶材料磁导率高，自身损耗低，高频特性优良；使用铁基纳米晶磁心制作的高频变压器，高频特性好，体积小，重量轻，功率大，损耗低；采用此高频隔离变压器制作的电源，整机体积小，重量轻，，噪声小、电磁兼容性好，可靠性高。